SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)로 써 내려간 인공지능(AI) 메모리 성공 신화를 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드플래시 양산을 통해 낸드에서도 이어간다. HBM으로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 갖춘 '종합 AI 메모리 프로바이더'로 거듭난다는 전략이다. 21일 SK하이닉스는 지난해 6월 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산, 시장에 공급한 데 이어 300단을 넘어서는 낸드를 가장 먼저 선보이며 기술한계를 돌파했다고 밝혔다. 쌓기 경쟁이 치열한 낸드에서 300층 이상을 쌓은 기업은 전 세계에서 SK하이닉스가 유일하다. 이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 또 데이터 읽기 전력효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급, 시장의 요구에 대응해 나갈 계획이다. AI 시대가 본격화되면서 낸드 분야에서도 고성능·고용량 솔루션에 대한 고객의 요구가 커지고 있다. SK하이닉스는 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 분야 강자로, 업계에서 유일하게 60테라바이트(TB) 제품을 대량 공급하고 있다. SK하이닉스는 지난 9월에는 현존 HBM 최대 용량인 36기가바이트(GB)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하는 데 성공했다. SK하이닉스는 이 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한 지 6개월 만에 또 한번 압도적 기술력을 증명하게 됐다. SK하이닉스는 또 지난 8월엔 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발에 성공했다. 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급, 메모리 반도체 시장의 성장을 끌어나갈 계획이다. SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 "300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지(저장장치) 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다"며 "HBM으로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 '풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더'로 도약할 것"이라고 말했다.